Моя заявка (0)

Type N-Channel MOSFET, 5.3 A, 1700 V Enhancement, 7-Pin TO-263 C2M1000170J

Type N-Channel MOSFET, 5.3 A, 1700 V Enhancement, 7-Pin TO-263 C2M1000170J

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8219571763
Артикул
C2M1000170J
Бренд
WOLFSPEED
Вес, г
3.05
Длина
10.23мм
Высота
4.57мм
Ширина
10.99мм
Цена по запросу
(от 2 615,13 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 1,7кВ, 5,3А, 78Вт, D2PAK-7, SiC

Технические параметры

Вес, г3.05
Длина10.23мм
Высота4.57мм
Ширина10.99мм
Размеры10.23 x 10.99 x 4.57мм
КатегорияМощный МОП-транзистор
СтруктураN-Channel
Тип каналаN
Тип корпусаD2PAK (TO-263)
Тип монтажаПоверхностный монтаж
Особенностивысоковольтный
Номер каналаПоднятие
Transistor ConfigurationОдинарный
ПроизводительWolfspeed
Число контактов7
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Minimum Gate Threshold Voltage2V
Материал транзистораSiC
Прямое напряжение диода3.8V
Количество элементов на ИС1
Типичный заряд затвора при Vgs13 нКл при 20 В
Типичная входная емкость при Vds200 пФ при 1000 В
Максимальное рассеяние мощности78 Вт
Минимальная рабочая температура-55 °C
Максимальная рабочая температура+150 °C
Типичное время задержки включения4 нс
Максимальное напряжение сток-исток1700 В
Максимальный непрерывный ток стока5,3 А
Типичное время задержки выключения10,8 нс
Максимальное напряжение затвор-исток-10 В, +25 В
Максимальное сопротивление сток-исток1,4 Ω
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В1700
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А5.3
Прямая активная межэлектродная проводимость0.82S
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт78
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация