SiC N-Channel MOSFET, 90 A, 1200 V, 3-Pin TO-247 C2M0025120D
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014478289
- Артикул
- C2M0025120D
- Бренд
- WOLFSPEED
- Width
- 21.1mm
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Длина
- 16.13мм
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой C2M0025120D от производителя Wolfspeed – это мощный компонент для силовой электроники с монтажом THT. Отличительной чертой данной модели является высокий ток стока в 90 А и напряжение сток-исток, достигающее 1200 В. Мощность устройства составляет 463 Вт, что гарантирует его надежность в сложных условиях работы. Сопротивление в открытом состоянии всего 0,034 Ом обеспечивает высокую эффективность. Транзистор выполнен в корпусе TO247-3, что упрощает его установку на печатную плату. Используя модель C2M0025120D, вы получаете надежный и долговечный компонент для вашей электронной аппаратуры. Код товара для заказа: C2M0025120D. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 90 Напряжение сток-исток, В 1200 Мощность, Вт 463 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.034 Корпус TO247-3
Технические параметры
| Width | 21.1mm |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 16.13мм |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247 |
| Высота | 5.21мм |
| Ширина | 21.1мм |
| Mounting Type | Through Hole |
| Размеры | 16.13 x 21.1 x 5.21мм |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | SiC |
| Тип канала | N |
| Forward Diode Voltage | 3.3V |
| Тип корпуса | TO-247 |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Особенности | высоковольтный |
| Номер канала | Поднятие |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 463 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 161 nC @ 20 V |
| Производитель | Wolfspeed |
| Maximum Gate Source Voltage | +25 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Число контактов | 3 |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 34 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 90 A |
| Материал транзистора | SiC |
| Прямое напряжение диода | 3.3V |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 161 нКл при 20 В |
| Типичная входная емкость при Vds | 2788 пФ при 1000 В |
| Максимальное рассеяние мощности | 463 Вт |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Типичное время задержки включения | 14 нс |
| Максимальное напряжение сток-исток | 1200 В |
| Максимальный непрерывный ток стока | 90 A |
| Типичное время задержки выключения | 29 нс |
| Максимальное напряжение затвор-исток | +25 В |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 34 мΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 90 |
| Прямая активная межэлектродная проводимость | 23.6S |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |