Моя заявка (0)

BXP7N65P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 3,9А; Idm: 28А; 167Вт; TO220

BXP7N65P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 3,9А; Idm: 28А; 167Вт; TO220

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8013626053
Артикул
BXP7N65P
Бренд
Bridgelux
Case
TO220
Mounting
THT
Вес, г
2.08
Gate charge
21nC
Цена по запросу
(от 120,48 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

CaseTO220
MountingTHT
Вес, г2.08
Gate charge21nC
ManufacturerBRIDGELUX
Polarisationunipolar
Корпусto220
Drain current3.9A
Kind of channelenhanced
Kind of packagetube
Power dissipation167W
Type of transistorN-MOSFET
СтруктураMOSFET
Gate-source voltage±30V
On-state resistance1.4Ω
Drain-source voltage650V
Pulsed drain current28A
Особенности-
Пороговое напряжение на затворе-2…-4 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А3.9
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт167
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация