BVSS138LT1G, Транзистор: N-MOSFET; 50В; 200мА; 225мВт; SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8021971839
- Артикул
- BVSS138LT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- PPAP
- Yes
- Width
- 1.4mm
- Brand:
- onsemi
- EU RoHS
- Compliant
Цена по запросу
(от 15 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Облачные решения для управления питанием Облачные решения onsemi для управления питанием повышают эффективность, упрощая проектирование системы, сокращая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии энергии, которую мы используем каждый день.
Технические параметры
| PPAP | Yes |
| Width | 1.4mm |
| Brand: | onsemi |
| EU RoHS | Compliant |
| Series: | BSS138L |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | Yes |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.1 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-23 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | sot23 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Maximum IDSS (uA) | 0.5 |
| Product Category: | MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Automotive Standard | AEC-Q101 |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Standard Package Name | SOT |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 225 mW |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 225 mW |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 50 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 20 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 200 mA |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 225 |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.85V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 100 mS |
| Maximum Drain Source Resistance | 10 Ω |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Output Capacitance (pF) | 12 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 20(Max) |
| Maximum Continuous Drain Current | 200 mA |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 50 |
| Typical Gate Plateau Voltage (V) | 1.9 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 20(Max) |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 1.5 |
| Minimum Gate Threshold Voltage (V) | 0.85 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 0.2 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 40@25V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 3500@5V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 850 mV |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Maximum Positive Gate Source Voltage (V) | 20 |
| Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A) | 0.8 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) | 3.5 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 50 V |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.225 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3.5 Ohms |