Моя заявка (0)
BVSS138LT1G, MOSFETs NFET 50V 200MA 3.5O

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004738296
Артикул
BVSS138LT1G
Бренд
ON Semiconductor***
PPAP
Yes
Width
1.4mm
Brand:
onsemi
EU RoHS
Compliant
Цена по запросу
(от 21,31 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Облачные решения для управления питанием Облачные решения onsemi для управления питанием повышают эффективность, упрощая проектирование системы, сокращая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии энергии, которую мы используем каждый день.

Технические параметры

PPAPYes
Width1.4mm
Brand:onsemi
EU RoHSCompliant
Series:BSS138L
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveYes
Lead ShapeGull-wing
Вес, г99
PCB changed3
Part StatusActive
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeSOT-23
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
ConfigurationSingle
Manufacturer:onsemi
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-23-3
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageSOT-23
Transistor Type:1 N-Channel
Maximum IDSS (uA)0.5
Product Category:MOSFET
СтруктураN-Channel
Automotive StandardAEC-Q101
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Standard Package NameSOT
Особенности-
Pd - Power Dissipation:225 mW
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation225 mW
Supplier Temperature GradeAutomotive
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Maximum Gate Source Voltage±20 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-On Delay Time:20 ns
Maximum Drain Source Voltage50 V
Typical Turn-Off Delay Time:20 ns
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Id - Continuous Drain Current:200 mA
Maximum Gate Threshold Voltage1.5V
Maximum Operating Temperature:+150 C
Maximum Power Dissipation (mW)225
Minimum Gate Threshold Voltage0.85V
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:100 mS
Maximum Drain Source Resistance10 Ω
Maximum Gate Source Voltage (V)±20
Typical Output Capacitance (pF)12
Typical Turn-On Delay Time (ns)20(Max)
Maximum Continuous Drain Current200 mA
Maximum Drain Source Voltage (V)50
Typical Gate Plateau Voltage (V)1.9
Typical Turn-Off Delay Time (ns)20(Max)
Rds On - Drain-Source Resistance:3.5 Ohms
Maximum Gate Threshold Voltage (V)1.5
Minimum Gate Threshold Voltage (V)0.85
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)0.2
Operating Junction Temperature (°C)-55 to 150
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)40@25V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:50 V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)3500@5V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:850 mV
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)100
Maximum Positive Gate Source Voltage (V)20
Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A)0.8
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF)3.5
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В50 V
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)3.5 Ohms

Техническая документация