BUZ11-NR4941,Power MOSFET, N Channel, 50 V, 30 A, 0.03 ohm, TO-220AB, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8205508193
- Артикул
- BUZ11-NR4941
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 4.83mm
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 3.629
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 197 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полевые транзисторы (FET) в режиме усиления производятся с использованием запатентованной компанией Fairchild теxнологии DMOS с высокой плотностью ячеек.
Технические параметры
| Width | 4.83mm |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 3.629 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220AB |
| Корпус | TO-220AB |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 75 W |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 50 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 40 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 30 A |
| Крутизна характеристики, S | 8 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 50 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 75 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.03 Ом |