Моя заявка (0)

BUXD87T4, Bipolar Transistors - BJT High voltage NPN power transistor

BUXD87T4, Bipolar Transistors - BJT High voltage NPN power transistor

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070665200
Артикул
BUXD87T4
Бренд
STMicroelectronics
Brand:
STMicroelectronics
Series:
BUXD87
Вес, г
3.95
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 137,85 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.

Технические параметры

Brand:STMicroelectronics
Series:BUXD87
Вес, г3.95
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Manufacturer:STMicroelectronics
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-252-3
Transistor TypeNPN
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураnpn
Transistor Polarity:NPN
Collector Current (Ic)500mA
Power Dissipation (Pd)20W
Pd - Power Dissipation:20 W
Transition Frequency (fT)20MHz
Gain Bandwidth Product fT:20 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:5 V
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)12@40mA, 5V
Continuous Collector Current:500 mA
Maximum DC Collector Current:500 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:450 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:1 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)450V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)1V@200mA, 20mA

Техническая документация