Моя заявка (0)

BUX87, Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 450 V, 500 mA, 40 W, SOT-32, Through Hole

BUX87, Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 450 V, 500 mA, 40 W, SOT-32, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8411216645
Артикул
BUX87
Бренд
STMicroelectronics
Pin Count
3
Вес, г
0.726
Серия
BUX87
Package Type
SOT-32
Цена по запросу
(от 246 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT NPN High Volt Power

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г0.726
СерияBUX87
Package TypeSOT-32
Mounting TypeThrough Hole
RoHS CompliantYes
Transistor TypeNPN
УпаковкаTube
Структураnpn
Вид монтажаThrough Hole
Особенностивысоковольтный
Minimum DC Current Gain12
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Maximum Power Dissipation40 W
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаSTMicroelectronics
Упаковка / блокSOT-32-3
Maximum DC Collector Current500 mA
Maximum Emitter Base Voltage5 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage1000 V
Maximum Collector Emitter Voltage450 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности40 W
Размер фабричной упаковки2000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Непрерывный коллекторный ток0.5 A
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.450 V
Максимальный постоянный ток коллектора0.5 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер1 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В450
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт40
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)20 MHz

Техническая документация