Моя заявка (0)
BUV22G, Bipolar Transistors - BJT 40A 250V 250W NPN

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005368759
Артикул
BUV22G
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
1.6
Длина
38.86 mm
Серия
BUV22
Высота
8.51 mm
Цена по запросу
(от 4 020 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT 40A 250V 250W NPN

Технические параметры

Вес, г1.6
Длина38.86 mm
СерияBUV22
Высота8.51 mm
Ширина26.67 mm
УпаковкаTray
Структураnpn
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокTO-204-2
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности250 W
Размер фабричной упаковки100
Напряжение эмиттер-база (VEBO)7 V
Непрерывный коллекторный ток40 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)300 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.250 V
Максимальный постоянный ток коллектора40 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.5 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)20
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)8 MHz

Техническая документация