Моя заявка (0)

BUT11AFTU, Транзистор: NPN, биполярный, 450В, 5А, 40Вт, TO220F

BUT11AFTU, Транзистор: NPN, биполярный, 450В, 5А, 40Вт, TO220F

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017548317
Артикул
BUT11AFTU
Бренд
ON Semiconductor***
Pin Count
3
Вес, г
2.2
Длина
10.16 mm
Серия
BUT11AF
Цена по запросу
(от 960 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: NPN, биполярный, 450В, 5А, 40Вт, TO220F Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г2.2
Длина10.16 mm
СерияBUT11AF
Package TypeTO-220F
Высота9.19 mm
КорпусTO-220FP
Ширина4.7 mm
Mounting TypeThrough Hole
Transistor TypeNPN
УпаковкаTube
Структураnpn
Вид монтажаThrough Hole
Minimum DC Current Gain0
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Maximum Power Dissipation40 W
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блокTO-220-3
Maximum DC Collector Current5 A
Maximum Emitter Base Voltage9 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage1000 V
Maximum Collector Emitter Voltage450 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности40000 mW
Размер фабричной упаковки1000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)9 V
Непрерывный коллекторный ток5 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)1 kV
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)5
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.450 V
Максимальный постоянный ток коллектора5 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.5 V
Статический коэффициент передачи тока h21э мин10
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В450
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В1000

Техническая документация