Моя заявка (0)

BUL58D, Транзистор: NPN, биполярный, 450В, 8А, 85Вт, TO220AB

BUL58D, Транзистор: NPN, биполярный, 450В, 8А, 85Вт, TO220AB

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8003902092
Артикул
BUL58D
Бренд
STMicroelectronics
RoHS
Details
Brand
STMicroelectronics
Series
500V Transistors
Packaging
Tube
Цена по запросу
(от 202,97 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: NPN, биполярный, 450В, 8А, 85Вт, TO220AB Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN

Технические параметры

RoHSDetails
BrandSTMicroelectronics
Series500V Transistors
PackagingTube
Pin Count3
Вес, г1.98
СерияBUL58D
Unit Weight0.08113 oz
ManufacturerSTMicroelectronics
Package TypeTO-220
КорпусTO-220AB
Mounting TypeThrough Hole
Mounting StyleThrough Hole
Package / CaseTO-220-3
Transistor TypeNPN
Product CategoryBipolar Transistors-BJT
УпаковкаTube
Структураnpn
Transistor PolarityNPN
ТехнологияSi
Factory Pack Quantity1000
Вид монтажаThrough Hole
Pd - Power Dissipation85000 mW
Minimum DC Current Gain5
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transistor ConfigurationSingle
ПодкатегорияTransistors
Maximum Power Dissipation85 W
Emitter- Base Voltage VEBO9 V
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаSTMicroelectronics
Упаковка / блокTO-220-3
Maximum DC Collector Current8 A
Maximum Emitter Base Voltage9 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
DC Collector/Base Gain hfe Min5
Maximum Collector Base Voltage800 V
Maximum Collector Emitter Voltage450 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max450 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности85000 mW
Размер фабричной упаковки1000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)9 V
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)8
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.450 V
Максимальный постоянный ток коллектора8 A
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)5

Техническая документация