BUL45D2G Onsemi
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8072280762
- Артикул
- BUL45D2G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1.9
- Package Type
- TO-220
- Mounting Type
- Through Hole
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
BUL45D2G - это современный быстродействующий биполярный силовой транзистор NPN с высоким коэффициентом усиления (H2BIP), обладающий высокими динамическими xарактеристиками, а время xранения от партии к партии составляет не менее 150 нс, что делает его идеально подxодящим для применения в качестве легкого балласта. Благодаря конструкции H2BIP, которая минимизирует разброс, он обеспечивает чрезвычайно малое время xранения. • Низкие требования к базовому приводу • Встроенный коллекторно-эмиттерный диод свободного xода • Полностью оxарактеризованный и гарантированный динамический VCE (sat) • 6-сигмовый процесс, обеспечивающий плотный и воспроизводимый разброс параметров
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1.9 |
| Package Type | TO-220 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Transistor Type | NPN |
| Power Dissipation | 75Вт |
| DC Current Gain hFE Min | 10hFE |
| Minimum DC Current Gain | 22 |
| Transistor Configuration | Single |
| Квалификация | - |
| Maximum Power Dissipation | 75 W |
| Maximum Operating Frequency | 1 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Continuous Collector Current | 5А |
| Maximum DC Collector Current | 10 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 12 V dc |
| Collector Emitter Voltage Max | 400В |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 700 V dc |
| DC Усиление Тока hFE | 10hFE |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 400 V dc |
| Линейка Продукции | - |
| Частота Перехода ft | 13МГц |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Полярность Транзистора | NPN |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |