BUL216,Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 800 V, 4 A, 90 W, TO-220, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8583842409
- Артикул
- BUL216
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- BUL216
- Pin Count
- 3
- Packaging:
- Tube
Цена по запросу
(от 366 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | BUL216 |
| Pin Count | 3 |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 2.041 |
| Technology: | Si |
| Package Type | TO-220 |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | TO-220 | to-220 |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity | NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Minimum DC Current Gain | 12 |
| Pd - Power Dissipation: | 90 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 9 W |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 9 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum DC Collector Current | 4 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 9 V |
| Continuous Collector Current: | 4 A |
| Maximum DC Collector Current: | 4 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 1600 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 800 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 800 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 90 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 4 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 12…40 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 800 |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 1600 |