BUL128D-B NPN Transistor, 4 A, 400 V, 3-Pin TO-220
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8033550024
- Артикул
- BUL128D-B
- Бренд
- STMicroelectronics
- Packaging
- Tube
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 7
- Длина
- 10.4 mm
Цена по запросу
(от 160 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Широкий ассортимент биполярныx транзисторов NPN и PNP от STMicroelectronics, включая транзисторы общего назначения, Дарлингтона, силовые и высоковольтные устройства в корпусаx SMT и Through hole.
Технические параметры
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 7 |
| Длина | 10.4 mm |
| Серия | BUL128D-B |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 70W |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Package Type | TO-220 |
| Высота | 15.75 mm |
| Корпус | TO-220 |
| Ширина | 4.6 mm |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Base Part Number | BUL128 |
| Standard Package | 50 |
| Упаковка | Tube |
| Структура | npn |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | 150В°C(TJ) |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Minimum DC Current Gain | 12 |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 70 W |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Maximum DC Collector Current | 4 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 9 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 1A, 4A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 4A |
| Maximum Collector Base Voltage | 700 V |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 250ВµA |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 400 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 12 @ 2A, 5V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 400V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 70000 mW |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 9 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 700 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 4 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 400 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 4 A |