Моя заявка (0)

BUL128D-B, Транзистор: NPN, биполярный, 400В, 4А, 70Вт, TO220AB

BUL128D-B, Транзистор: NPN, биполярный, 400В, 4А, 70Вт, TO220AB

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8033359240
Артикул
BUL128D-B
Бренд
STMicroelectronics
Packaging
Tube
Pin Count
3
Вес, г
1.97
Длина
10.4 mm
Цена по запросу
(от 122 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT PTD IGBT & IPM

Технические параметры

PackagingTube
Pin Count3
Вес, г1.97
Длина10.4 mm
СерияBUL128D-B
Part StatusActive
Power - Max70W
ManufacturerSTMicroelectronics
Package TypeTO-220
Высота15.75 mm
КорпусTO-220AB
Ширина4.6 mm
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-220-3
Transistor TypeNPN
Base Part NumberBUL128
Standard Package50
УпаковкаTube
Структураnpn
ТехнологияSi
Operating Temperature150В°C(TJ)
Вид монтажаThrough Hole
Minimum DC Current Gain12
Supplier Device PackageTO-220AB
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Maximum Power Dissipation70 W
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаSTMicroelectronics
Упаковка / блокTO-220-3
Maximum DC Collector Current4 A
Maximum Emitter Base Voltage9 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic500mV @ 1A, 4A
Current - Collector (Ic) (Max)4A
Maximum Collector Base Voltage700 V
Current - Collector Cutoff (Max)250ВµA
Maximum Collector Emitter Voltage400 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce12 @ 2A, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)400V
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности70000 mW
Размер фабричной упаковки1000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)9 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)700 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт70
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)4
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.400 V
Максимальный постоянный ток коллектора4 A

Техническая документация