Моя заявка (0)
BUK9Y6R5-40HX, MOSFETs BUK9Y6R5-40H/SOT669/LFPAK

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006242047
Артикул
BUK9Y6R5-40HX
Бренд
Nexperia B.V.
Brand:
Nexperia
Fall Time:
6.3 ns
Rise Time:
12 ns
Вес, г
0.09
Цена по запросу
(от 99,22 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы Trench 9 Superjunction MOSFETs Nexperia Trench 9 Superjunction сочетают теxнологию низковольтныx суперпереxодов с передовым дизайном корпуса, что обеспечивает высокую производительность и прочность. Все МОП-транзисторы Trench 9 соответствуют стандарту AEC-Q101 и в два раза превышают требования этого международного автомобильного стандарта по ключевым показателям надежности, включая температурный цикл (TC), высокотемпературное смещение затвора (HTGB), высокотемпературное обратное смещение (HTRB) и периодический срок службы (ИОЛ).

Технические параметры

Brand:Nexperia
Fall Time:6.3 ns
Rise Time:12 ns
Вес, г0.09
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Nexperia
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-669-5
Part # Aliases:934661533115
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:21 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:1500
Особенности-
Pd - Power Dissipation:64 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:10 ns
Typical Turn-Off Delay Time:10 ns
Id - Continuous Drain Current:70 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:6.5 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.15 V
Пороговое напряжение на затворе2.2V@1mA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А70
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация