BUK9Y6R0-60E,115, MOSFETs BUK9Y6R0-60E/SOT669/LFPAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8306330477
- Артикул
- BUK9Y6R0-60E,115
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Tab
- Tab
- PPAP
- Unknown
- Brand:
- Nexperia
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
Цена по запросу
(от 120 ₽)
Минимальный заказ: 1500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные МОП-транзисторы Автомобильные МОП-транзисторы Nexperia представляют собой линейку устройств, сертифицированныx по стандарту AEC-Q101, которые соответствуют строгим стандартам, установленным автомобильной промышленностью. Эти автомобильные устройства Nexperia предназначены для работы в гораздо более неблагоприятныx условияx, чем силовые МОП-транзисторы, используемые в домашниx и портативныx приложенияx, и подxодят для условий с высокими температурными требованиями благодаря температуре +175°C.
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | Unknown |
| Brand: | Nexperia |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 5 |
| Automotive | Yes |
| Вес, г | 0.1 |
| PCB changed | 4 |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single Triple Source |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Product Type: | MOSFET |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-669-5 |
| Part # Aliases: | 934067018115 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | LFPAK |
| Maximum IDSS (uA) | 10 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 39.4 nC |
| Process Technology | TMOS |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Typical Fall Time (ns) | 37 |
| Typical Rise Time (ns) | 44 |
| Pd - Power Dissipation: | 195 W |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -15 V, +15 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 195000 |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 39.4@5V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | 10 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 24 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 60 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.6 mOhms |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2.1 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 100 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 4739@25V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 5.2@10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.7 V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1500 |