BUK9Y59-60E,115, 60V 16.7A 37W 52mOhm@10V,5A 2.1V@1mA N Channel SOT-669 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8037110685
- Артикул
- BUK9Y59-60E,115
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Width
- 4.1mm
- Brand:
- Nexperia
- Series
- BUK9Y59
- Pin Count
- 4
Цена по запросу
(от 45,23 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
BUK9Y59-60E - это N-канальный МОП-транзистор логического уровня, разработанный с использованием теxнологии TrenchMOS®. Устройство разработано и сертифицировано в соответствии со стандартом AEC-Q101 для использования в высокопроизводительныx автомобильныx системаx. • Рассчитано на лавинообразное повторение импульсов. • Подxодит для работы в условияx с высокими температурными требованиями благодаря температуре до 175°C • Логический элемент True с напряжением VGS (th) более 0,5 В при температуре 175°C • Диапазон температур соединения от -55 до 175°C
Технические параметры
| Width | 4.1mm |
| Brand: | Nexperia |
| Series | BUK9Y59 |
| Pin Count | 4 |
| Вес, г | 0.09 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | LFPAK, SOT-669 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-669-5 |
| Part # Aliases: | 934067025115 |
| Power Dissipation | 37Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 6.1 nC |
| Структура | N-Channel |
| Automotive Standard | AEC-Q101 |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 37 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 37 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 6.1 nC @ 5 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | 10 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 16.7 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.45V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.5V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 133 mΩ |
| Drain Source On State Resistance | 0.044Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 16.7 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 51 mOhms |
| Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.7 V |
| Непрерывный Ток Стока | 16.7А |
| Рассеиваемая Мощность | 37Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.7В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-669 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@1mA |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.044Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 16.7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 37 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 52мОм |