BUK9Y4R4-40E,115, MOSFETs BUK9Y4R4-40E/SOT669/LFPAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070057528
- Артикул
- BUK9Y4R4-40E,115
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Grade
- Automotive
- Brand:
- Nexperia
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±10V
Цена по запросу
(от 135,55 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные МОП-транзисторы BUKx Nexperia BUKx предлагает N-канальные МОП-транзисторы логического уровня с теxнологией TrenchMOS. Этот продукт разработан и соответствует стандарту AEC Q101 для использования в высокопроизводительныx автомобильныx системаx.
Технические параметры
| Grade | Automotive |
| Brand: | Nexperia |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | SOT-669-5 |
| Product Type: | MOSFET |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | 934067045115 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 26.8 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7mOhm @ 25A, 10V |
| Pd - Power Dissipation: | 147 W |
| Power Dissipation (Max) | 147W(Tc) |
| Supplier Device Package | LFPAK56, Power-SO8 |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +10 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26.8 nC @ 5 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.7 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4077 pF @ 25 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A(Tc) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.7 V |