Моя заявка (0)
BUK9Y22-100E,115, Транзистор: N-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024654886
Артикул
BUK9Y22-100E,115
Бренд
Nexperia B.V.
Type
null
Brand:
Nexperia
Вес, г
0.09
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 250 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные МОП-транзисторы BUKx Nexperia BUKx предлагает N-канальные МОП-транзисторы логического уровня с теxнологией TrenchMOS. Этот продукт разработан и соответствует стандарту AEC Q101 для использования в высокопроизводительныx автомобильныx системаx.

Технические параметры

Typenull
Brand:Nexperia
Вес, г0.09
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Nexperia
Package/Case:SOT-669-5
Product Type:MOSFET
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:934067037115
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:35.8 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Operating Temperature-55℃~+175℃@(Tj)
Factory Pack Quantity:1500
Power Dissipation (Pd)147W
Особенности-
Pd - Power Dissipation:147 W
Total Gate Charge (Qg@Vgs)35.8nC@5V
Vgs - Gate-Source Voltage:-10 V, +10 V
Input Capacitance (Ciss@Vds)4.64nF@25V
Continuous Drain Current (Id)49A
Id - Continuous Drain Current:49 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:17.4 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.7 V
Пороговое напряжение на затворе2.1V@1mA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт147
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)21.5mΩ@15A, 10V

Техническая документация