BUK9Y1R3-40HX, MOSFETs SOT669 N-CH 40V 190A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062595770
- Артикул
- BUK9Y1R3-40HX
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Brand:
- Nexperia
- Вес, г
- 0.09
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 323,49 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор BUK9Y1R3-40H/SOT669/LFPAK
Технические параметры
| Brand: | Nexperia |
| Вес, г | 0.09 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Package/Case: | LFPAK-56-5 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | 934660367115 |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 99 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Pd - Power Dissipation: | 395 W |
| Тип продукта | MOSFET |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +16 V |
| Торговая марка | Nexperia |
| Id - Continuous Drain Current: | 190 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.3 mOhms |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.05 V |
| Размер фабричной упаковки | 1500 |