Моя заявка (0)

BUK9Y19-75B,115, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 34,1А; Idm: 192А; 106Вт; SOT669

BUK9Y19-75B,115, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 34,1А; Idm: 192А; 106Вт; SOT669

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8026475388
Артикул
BUK9Y19-75B,115
Бренд
Nexperia B.V.
Grade
Automotive
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
±15V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Цена по запросу
(от 225,19 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный 75 В 48,2 А (Tc) 106 Вт (Tc) для поверxностного монтажа LFPAK56, мощность-SO8

Технические параметры

GradeAutomotive
FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±15V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г0.15
Mounting TypeSurface Mount
QualificationAEC-Q101
Package / CaseSC-100, SOT-669
Vgs(th) (Max) @ Id2.15V @ 1mA
СтруктураMOSFET
Operating Temperature-55°C ~ 175°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs18mOhm @ 20A, 10V
Особенности-
Power Dissipation (Max)106W(Tc)
Supplier Device PackageLFPAK56, Power-SO8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3096 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C48.2A(Tc)
Пороговое напряжение на затворе1.95V@1mA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В75
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А34.1
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт106
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.99mΩ@10V, 25A

Техническая документация