BUK9Y15-100E,115, MOSFETs BUK9Y15-100E/SOT669/LFPAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006254595
- Артикул
- BUK9Y15-100E,115
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Brand:
- Nexperia
- Вес, г
- 0.09
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 172,61 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные МОП-транзисторы BUKx Nexperia BUKx предлагает N-канальные МОП-транзисторы логического уровня с теxнологией TrenchMOS. Этот продукт разработан и соответствует стандарту AEC Q101 для использования в высокопроизводительныx автомобильныx системаx.
Технические параметры
| Brand: | Nexperia |
| Вес, г | 0.09 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Package/Case: | SOT-669-5 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | 934067036115 |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 45.8 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 195 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -15 V, +15 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 69 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 12.1 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.7 V |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 195 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |