Моя заявка (0)
BUK9Y12-40E,115, Транзистор: N-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024654878
Артикул
BUK9Y12-40E,115
Бренд
Nexperia B.V.
Type
null
Grade
Automotive
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
±10V
Цена по запросу
(от 57 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

40 В 52 А при 10 Мом при 15 А, 10 В 65 Вт 2.1V@1mA нулевые МОП-транзисторы SOT-669 соответствуют требованиям ROHS

Технические параметры

Typenull
GradeAutomotive
FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±10V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г1
Mounting TypeSurface Mount
QualificationAEC-Q101
Package / CaseSC-100, SOT-669
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 1mA
СтруктураMOSFET
Operating Temperature-55℃~+175℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd)65W
Rds On (Max) @ Id, Vgs10mOhm @ 15A, 10V
Особенности-
Power Dissipation (Max)65W(Tc)
Supplier Device PackageLFPAK56, Power-SO8
Total Gate Charge (Qg@Vgs)9.8nC@5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss@Vds)1.423nF@25V
Continuous Drain Current (Id)52A
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1423 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C52A(Tc)
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)-
Пороговое напряжение на затворе2.1V@1mA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт65
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)10mΩ@15A, 10V

Техническая документация