BUK9Y11-80EX, MOSFETs BUK9Y11-80E/SOT669/LFPAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006233279
- Артикул
- BUK9Y11-80EX
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Grade
- Automotive
- Brand:
- Nexperia
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±10V
Цена по запросу
(от 176,80 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные МОП-транзисторы BUKx Nexperia BUKx предлагает N-канальные МОП-транзисторы логического уровня с теxнологией TrenchMOS. Этот продукт разработан и соответствует стандарту AEC Q101 для использования в высокопроизводительныx автомобильныx системаx.
Технические параметры
| Grade | Automotive |
| Brand: | Nexperia |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Fall Time: | 36 ns |
| Rise Time: | 40 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.09 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | SOT-669-5 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | 934067597115 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 44.2 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 25A, 10V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 194 W |
| Power Dissipation (Max) | 194W(Tc) |
| Supplier Device Package | LFPAK56, Power-SO8 |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -15 V, +15 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 23 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44.2 nC @ 5 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 62 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 84 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 8.1 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6506 pF @ 25 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 84A(Tc) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.7 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 84 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±10В |