Моя заявка (0)
BUK9M28-80EX, Транзистор: N-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8022609797
Артикул
BUK9M28-80EX
Бренд
Nexperia B.V.
Type
1PCSNChannel
Width
2.6mm
Pin Count
4
Вес, г
0.07
Цена по запросу
(от 137,06 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный МОП-транзистор логического уровня 80 В, 28 Мом в LFPAK33, N-канальный МОП-транзистор логического уровня в корпусе LFPAK33 (Power33) с использованием теxнологии TrenchMOS.

Технические параметры

Type1PCSNChannel
Width2.6mm
Pin Count4
Вес, г0.07
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeLFPAK33
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураMOSFET
Automotive StandardAEC-Q101
Power Dissipation (Pd)75W
Особенности-
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation75 W
Typical Gate Charge @ Vgs6.1 nC @ 10 V
Total Gate Charge (Qg@Vgs)16.7nC@5V
Maximum Gate Source Voltage15 V
Number of Elements per Chip1
Input Capacitance (Ciss@Vds)2.275nF@25V
Maximum Drain Source Voltage80 V
Continuous Drain Current (Id)33A
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage2.45V
Minimum Gate Threshold Voltage0.5V
Maximum Drain Source Resistance70 mΩ
Maximum Continuous Drain Current33 A
Пороговое напряжение на затворе2.1V@1mA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В80
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт75
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)25mΩ@10A, 10V

Техническая документация