Моя заявка (0)
N-Channel MOSFET, 40 A, 60 V SOT1210 BUK9M20-60ELX

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8030976925
Артикул
BUK9M20-60ELX
Бренд
Nexperia B.V.
Brand:
Nexperia
Fall Time:
20 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
25 ns
Цена по запросу
(от 336,30 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный МОП-транзистор Nexperia с одним логическим уровнем в LFPAK33 использует усовершенствованную теxнологию SOA для конкретныx приложений.

Технические параметры

Brand:Nexperia
Fall Time:20 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:25 ns
Вес, г1
Technology:Si
Channel TypeN
Package TypeSOT1210
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Nexperia
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:LFPAK-8
Part # Aliases:934664844115
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:40 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:79.4 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-10 V, +10 V
Typical Turn-On Delay Time:11 ns
Maximum Drain Source Voltage60 V
Typical Turn-Off Delay Time:25 ns
Id - Continuous Drain Current:40 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:40 S
Maximum Continuous Drain Current40 A
Rds On - Drain-Source Resistance:13 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1500
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А40
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт79.4
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация