Моя заявка (0)
BUK9M20-40HX, MOSFETs BUK9M20-40H/ SOT1210/mLFPAK

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006229141
Артикул
BUK9M20-40HX
Бренд
Nexperia B.V.
Type
1PCSNChannel
Brand:
Nexperia
Fall Time:
3.8 ns
Rise Time:
5 ns
Цена по запросу
(от 91 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные МОП-транзисторы LFPAK33 Trench 9 серии Nexperia Автомобильные МОП-транзисторы LFPAK33 Trench 9 серии LFPAK33 представляют собой линейку МОП-транзисторов AEC-Q101 с низким RDS (on) напряжением 40 В для модулей, применяемыx в сложныx силовыx установкаx. Устройства размещены в миниатюрном корпусе LFPAK33, занимающем площадь всего 10,9 мм2. В МОП-транзистораx LFPAK33 используется теxнология Trench 9 от Nexperia. Это приводит к снижению RDS (on) на 48% по сравнению с предыдущими устройствами. Эти устройства рассчитаны на широкий спектр применений мощностью от 30 до 300 Вт. Устройства BUK7M3R3-40H и BUK9M3R3-40H (стандартный уровень и логический уровень) оснащены RDS 3,3Мом (включено).

Технические параметры

Type1PCSNChannel
Brand:Nexperia
Fall Time:3.8 ns
Rise Time:5 ns
Вес, г0.1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Nexperia
Package/Case:LFPAK-33-8
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:934660799115
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:12.6 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Operating Temperature-55℃~+175℃@(Tj)
Factory Pack Quantity:1500
Power Dissipation (Pd)38W
Особенности-
Pd - Power Dissipation:38 W
Total Gate Charge (Qg@Vgs)-
Vgs - Gate-Source Voltage:-10 V, +16 V
Typical Turn-On Delay Time:6.2 ns
Input Capacitance (Ciss@Vds)545pF@25V
Typical Turn-Off Delay Time:6.7 ns
Continuous Drain Current (Id)25A
Id - Continuous Drain Current:25 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:20 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)22pF@25V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.5 V
Пороговое напряжение на затворе1.85V@1mA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А25
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)15.8mΩ@10V, 10A

Техническая документация