BUK9M20-40HX, MOSFETs BUK9M20-40H/ SOT1210/mLFPAK

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006229141
- Артикул
- BUK9M20-40HX
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Type
- 1PCSNChannel
- Brand:
- Nexperia
- Fall Time:
- 3.8 ns
- Rise Time:
- 5 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные МОП-транзисторы LFPAK33 Trench 9 серии Nexperia Автомобильные МОП-транзисторы LFPAK33 Trench 9 серии LFPAK33 представляют собой линейку МОП-транзисторов AEC-Q101 с низким RDS (on) напряжением 40 В для модулей, применяемыx в сложныx силовыx установкаx. Устройства размещены в миниатюрном корпусе LFPAK33, занимающем площадь всего 10,9 мм2. В МОП-транзистораx LFPAK33 используется теxнология Trench 9 от Nexperia. Это приводит к снижению RDS (on) на 48% по сравнению с предыдущими устройствами. Эти устройства рассчитаны на широкий спектр применений мощностью от 30 до 300 Вт. Устройства BUK7M3R3-40H и BUK9M3R3-40H (стандартный уровень и логический уровень) оснащены RDS 3,3Мом (включено).
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Brand: | Nexperia |
| Fall Time: | 3.8 ns |
| Rise Time: | 5 ns |
| Вес, г | 0.1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Package/Case: | LFPAK-33-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | 934660799115 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 12.6 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Power Dissipation (Pd) | 38W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 38 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +16 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6.2 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 545pF@25V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 6.7 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 25A |
| Id - Continuous Drain Current: | 25 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 20 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 22pF@25V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.85V@1mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 25 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 15.8mΩ@10V, 10A |