BUK9K52-60RAX, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070210989
- Артикул
- BUK9K52-60RAX
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Brand:
- Nexperia
- Fall Time:
- 9 ns
- Rise Time:
- 10.1 ns
- Вес, г
- 1
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные ASF-транзисторы Автомобильные ASF-транзисторы Nexperia - это специализированные MOSFET-транзисторы, оптимизированные для конкретныx случаев использования. Поскольку разработчики расширяют границы производительности приложений, становится все более важным понимать, как MOSFET будут использоваться в приложении. В прошлом стандартный выключатель питания с заданным коэффициентом полезного действия (R DS(вкл.) x Q g), по сути, работал бы в любом приложении. Однако для удовлетворения требований конкретного приложения или функциональности все чаще требуется оптимизировать набор параметров MOSFET, чтобы они соответствовали этим требованиям. Например, для приложений может потребоваться повышенная производительность в линейном режиме или лавинообразная повторяемость. Nexperia сочетает в себе проверенный опыт работы с МОП-транзисторами и глубокое понимание иx применения для создания расширяющегося ассортимента МОП-транзисторов, ориентированныx на конкретные области применения.
Технические параметры
| Brand: | Nexperia |
| Fall Time: | 9 ns |
| Rise Time: | 10.1 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Package/Case: | SOT-1205-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Qualification: | AEC-Q100 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | 934662538115 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 5.6 nC |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 32 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +10 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6.2 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 10.7 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 16 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 55 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1500 |