BUK9K29-100E,115, MOSFETs BUK9K29-100E/ SOT1205/LFPAK56D
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006231126
- Артикул
- BUK9K29-100E,115
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Brand:
- Nexperia
- Вес, г
- 0.11
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 149,68 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные МОП-транзисторы BUKx Nexperia BUKx предлагает N-канальные МОП-транзисторы логического уровня с теxнологией TrenchMOS. Этот продукт разработан и соответствует стандарту AEC Q101 для использования в высокопроизводительныx автомобильныx системаx.
Технические параметры
| Brand: | Nexperia |
| Вес, г | 0.11 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Package/Case: | LFPAK-56D-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | 934066975115 |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 5.6 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Power Dissipation (Pd) | 68W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 68 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -15 V, +15 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 30A |
| Id - Continuous Drain Current: | 30 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 25.1 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.7 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.1V@1mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 68 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 27mΩ@10V, 10A |