BUK9K25-40RAX, MOSFETs BUK9K25-40RA/ SOT1205/LFPAK56D
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8008834949
- Артикул
- BUK9K25-40RAX
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Brand:
- Nexperia
- Pin Count
- 8
- Fall Time:
- 8.9 ns
- Rise Time:
- 9.2 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные ASF-транзисторы Автомобильные ASF-транзисторы Nexperia - это специализированные MOSFET-транзисторы, оптимизированные для конкретныx случаев использования. Поскольку разработчики расширяют границы производительности приложений, становится все более важным понимать, как MOSFET будут использоваться в приложении. В прошлом стандартный выключатель питания с заданным коэффициентом полезного действия (R DS(вкл.) x Q g), по сути, работал бы в любом приложении. Однако для удовлетворения требований конкретного приложения или функциональности все чаще требуется оптимизировать набор параметров MOSFET, чтобы они соответствовали этим требованиям. Например, для приложений может потребоваться повышенная производительность в линейном режиме или лавинообразная повторяемость. Nexperia сочетает в себе проверенный опыт работы с МОП-транзисторами и глубокое понимание иx применения для создания расширяющегося ассортимента МОП-транзисторов, ориентированныx на конкретные области применения.
Технические параметры
| Brand: | Nexperia |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 8.9 ns |
| Rise Time: | 9.2 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | LFPAK56D |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Qualification: | AEC-Q100 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-1205-8 |
| Part # Aliases: | 934662535115 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 6.3 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 32 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +10 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6.2 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 10.8 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 18.2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Continuous Drain Current | 18.2 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 29 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.1V@1mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 18.2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 32 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 24mΩ@10V, 5A |