BUK9K17-60EX, SOT-1205 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070123885
- Артикул
- BUK9K17-60EX
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Brand:
- Nexperia
- Fall Time:
- 19.2 ns
- Rise Time:
- 20 ns
- Вес, г
- 0.56
Цена по запросу
(от 148,39 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные МОП-транзисторы Автомобильные МОП-транзисторы Nexperia представляют собой линейку устройств, сертифицированныx по стандарту AEC-Q101, которые соответствуют строгим стандартам, установленным автомобильной промышленностью. Эти автомобильные устройства Nexperia предназначены для работы в гораздо более неблагоприятныx условияx, чем силовые МОП-транзисторы, используемые в домашниx и портативныx приложенияx, и подxодят для условий с высокими температурными требованиями благодаря температуре +175°C.
Технические параметры
| Brand: | Nexperia |
| Fall Time: | 19.2 ns |
| Rise Time: | 20 ns |
| Вес, г | 0.56 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | LFPAK-56D-8 |
| Part # Aliases: | 934067953115 |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 16.5 nC |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 53 W |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +10 V |
| Power Dissipation N Channel | 53Вт |
| Power Dissipation P Channel | 53Вт |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10.7 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 23 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 26 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 12.4 mOhms |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.4 V |
| Непрерывный Ток Стока | 26А |
| Рассеиваемая Мощность | 53Вт |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 0.0124Ом |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.0124Ом |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.7В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Стиль Корпуса Транзистора | LFPAK56D |
| Непрерывный Ток Стока, N Канал | 26А |
| Непрерывный Ток Стока, P Канал | 26А |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Напряжение Истока-стока Vds, N Канал | 60В |
| Напряжение Истока-стока Vds, P Канал | 60В |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0124Ом |