Моя заявка (0)

Dual N-Channel MOSFET, 40 A, 60 V, 8-Pin LFPAK56D BUK9K13-60RAX

Dual N-Channel MOSFET, 40 A, 60 V, 8-Pin LFPAK56D BUK9K13-60RAX

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014585244
Артикул
BUK9K13-60RAX
Бренд
Nexperia B.V.
Brand:
Nexperia
Pin Count
8
Fall Time:
21.8 ns
Rise Time:
22.1 ns
Цена по запросу
(от 480 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Двойной N-канальный МОП-транзистор логического уровня Nexperia в корпусе LFPAK56D, использующий лавинообразную кремниевую теxнологию, специфичную для конкретного приложения (ASFET).

Технические параметры

Brand:Nexperia
Pin Count8
Fall Time:21.8 ns
Rise Time:22.1 ns
Вес, г1
Technology:Si
Channel TypeN
Package TypeLFPAK56D
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Nexperia
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Qualification:AEC-Q100
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-1205-8
Part # Aliases:934662536115
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:22.4 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенностиполевая сборка
Pd - Power Dissipation:64 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-10 V, +10 V
Number of Elements per Chip2
Typical Turn-On Delay Time:13 ns
Maximum Drain Source Voltage60 V
Typical Turn-Off Delay Time:30.5 ns
Id - Continuous Drain Current:40 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Continuous Drain Current40 A
Rds On - Drain-Source Resistance:12.5 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1500
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А40
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт64
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация