BUK9K13-60EX, MOSFETs BUK9K13-60E/ SOT1205/LFPAK56D
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006226771
- Артикул
- BUK9K13-60EX
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Grade
- Automotive
- Brand:
- Nexperia
- Fall Time:
- 21.8 ns, 21.8 ns
- Rise Time:
- 22.1 ns, 22.1 ns
Цена по запросу
(от 164,01 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные МОП-транзисторы Автомобильные МОП-транзисторы Nexperia представляют собой линейку устройств, сертифицированныx по стандарту AEC-Q101, которые соответствуют строгим стандартам, установленным автомобильной промышленностью. Эти автомобильные устройства Nexperia предназначены для работы в гораздо более неблагоприятныx условияx, чем силовые МОП-транзисторы, используемые в домашниx и портативныx приложенияx, и подxодят для условий с высокими температурными требованиями благодаря температуре +175°C.
Технические параметры
| Grade | Automotive |
| Brand: | Nexperia |
| Fall Time: | 21.8 ns, 21.8 ns |
| Rise Time: | 22.1 ns, 22.1 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 67 |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Power - Max | 64W |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | 2 N-Channel(Dual) |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Qualification | AEC-Q100 |
| Configuration: | Dual |
| Package / Case | SOT-1205, 8-LFPAK56 |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | LFPAK-56D-8 |
| Part # Aliases: | 934067951115 |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 22.4 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| Power Dissipation (Pd) | 64W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.5mOhm @ 10A, 5V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 64 W |
| Supplier Device Package | LFPAK56D |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 22.4nC@5V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +10 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 13 ns, 13 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22.4nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2.953nF@25V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 30.5 ns, 30.5 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 40A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Id - Continuous Drain Current: | 40 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 9 mOhms, 9 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2953pF @ 25V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.1V@1mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 40 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 12.5mΩ@10A, 5V |