Моя заявка (0)
BUK962R5-60E,118, MOSFETs BUK962R5-60E/SOT404/D2PAK

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8009090351
Артикул
BUK962R5-60E,118
Бренд
Nexperia B.V.
Grade
Automotive
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
±10V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Цена по запросу
(от 407,57 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный 60 В 120 А (Tc) 357 Вт (Tc) для поверxностного монтажа D2PAK

Технические параметры

GradeAutomotive
FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±10V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г72
Mounting TypeSurface Mount
QualificationAEC-Q101
Package / CaseTO-263-3, D2PAK(2 Leads+Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 1mA
СтруктураMOSFET
Operating Temperature-55°C ~ 175°C(TJ)
Power Dissipation (Pd)357W
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.5mOhm @ 25A, 5V
Особенности-
Power Dissipation (Max)357W(Tc)
Supplier Device PackageD2PAK
Total Gate Charge (Qg@Vgs)120nC@5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs120 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss@Vds)17.45nF@25V
Continuous Drain Current (Id)120A
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds17450 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C120A(Tc)
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)558pF@25V
Пороговое напряжение на затворе2.1V@1mA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)1.8mΩ@10V, 25A

Техническая документация