Моя заявка (0)

BUK9611-80E,118,Power MOSFET, N Channel, 80 V, 75 A, 0.0083 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

BUK9611-80E,118,Power MOSFET, N Channel, 80 V, 75 A, 0.0083 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8414821214
Артикул
BUK9611-80E,118
Бренд
Nexperia B.V.
Вес, г
0.33
Корпус
TO-263
Структура
N-Channel
Технология
Si
Цена по запросу
(от 557 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор TrenchMOS N-Channel

Технические параметры

Вес, г0.33
КорпусTO-263
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада53.2 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокTO-263-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора48.8 nC
Время нарастания63.9 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности182 W
Другие названия товара №934066647118
Id - непрерывный ток утечки75 A
Размер фабричной упаковки800
Vgs - напряжение затвор-исток10 V, + 10 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток11 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток80 V
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Типичное время задержки выключения58.4 ns
Типичное время задержки при включении29.6 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.7 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В80
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А75
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±10В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0083 Ом

Техническая документация