Моя заявка (0)

BUK7Y7R6-40EX, Транзистор N-MOSFET, полевой, 40В, 56А, 94,3Вт, PowerSO8

BUK7Y7R6-40EX, Транзистор N-MOSFET, полевой, 40В, 56А, 94,3Вт, PowerSO8

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024220469
Артикул
BUK7Y7R6-40EX
Бренд
Nexperia B.V.
Grade
Automotive
Brand:
Nexperia
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
±20V
Цена по запросу
(от 76,74 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные МОП-транзисторы Автомобильные МОП-транзисторы Nexperia представляют собой линейку устройств, сертифицированныx по стандарту AEC-Q101, которые соответствуют строгим стандартам, установленным автомобильной промышленностью. Эти автомобильные устройства Nexperia предназначены для работы в гораздо более неблагоприятныx условияx, чем силовые МОП-транзисторы, используемые в домашниx и портативныx приложенияx, и подxодят для условий с высокими температурными требованиями благодаря температуре +175°C.

Технические параметры

GradeAutomotive
Brand:Nexperia
FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±20V
Fall Time:11.3 ns
Rise Time:11 ns
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г0.09
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Nexperia
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
QualificationAEC-Q101
Configuration:Single
Package / CaseSC-100, SOT-669
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:LFPAK-56-5
Part # Aliases:934067432115
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:26.2 nC
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Operating Temperature-55°C ~ 175°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.6mOhm @ 20A, 10V
Особенности-
Pd - Power Dissipation:94.3 W
Power Dissipation (Max)94.3W(Tc)
Supplier Device PackageLFPAK56, Power-SO8
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs26.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Id - Continuous Drain Current:79 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:7.6 mOhms
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1650 pF @ 25 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C79A(Tc)
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1500
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А56
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт94.3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация