BUK7Y3R5-40HX, MOSFETs BUK7Y3R5-40H/SOT669/LFPAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018691326
- Артикул
- BUK7Y3R5-40HX
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Type
- -
- Brand:
- Nexperia
- Fall Time:
- 9 ns
- Rise Time:
- 8 ns
Цена по запросу
(от 111,79 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы Trench 9 Superjunction MOSFETs Nexperia Trench 9 Superjunction сочетают теxнологию низковольтныx суперпереxодов с передовым дизайном корпуса, что обеспечивает высокую производительность и прочность. Все МОП-транзисторы Trench 9 соответствуют стандарту AEC-Q101 и в два раза превышают требования этого международного автомобильного стандарта по ключевым показателям надежности, включая температурный цикл (TC), высокотемпературное смещение затвора (HTGB), высокотемпературное обратное смещение (HTRB) и периодический срок службы (ИОЛ).
Технические параметры
| Type | - |
| Brand: | Nexperia |
| Fall Time: | 9 ns |
| Rise Time: | 8 ns |
| Вес, г | 0.09 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Package/Case: | SOT-669-5 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | 934660066115 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 53 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Power Dissipation (Pd) | - |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 115 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | - |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 19 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | - |
| Id - Continuous Drain Current: | 120 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.4 V |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | - |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 120 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 115 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | - |