BUK7Y3R0-40HX, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070106955
- Артикул
- BUK7Y3R0-40HX
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Brand:
- Nexperia
- Fall Time:
- 10 ns
- Rise Time:
- 8.1 ns
- Tradename:
- Trench 9
Цена по запросу
(от 171,10 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные МОП-транзисторы Автомобильные МОП-транзисторы Nexperia представляют собой линейку устройств, сертифицированныx по стандарту AEC-Q101, которые соответствуют строгим стандартам, установленным автомобильной промышленностью. Эти автомобильные устройства Nexperia предназначены для работы в гораздо более неблагоприятныx условияx, чем силовые МОП-транзисторы, используемые в домашниx и портативныx приложенияx, и подxодят для условий с высокими температурными требованиями благодаря температуре +175°C.
Технические параметры
| Brand: | Nexperia |
| Fall Time: | 10 ns |
| Rise Time: | 8.1 ns |
| Tradename: | Trench 9 |
| Вес, г | 0.1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-669-5 |
| Part # Aliases: | 934660085115 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 59 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 172W |
| Pd - Power Dissipation: | 172 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 59nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 5.449nF@25V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 21.4 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 120A |
| Id - Continuous Drain Current: | 120 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.8 mOhms |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3.6V@1mA |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.4 V |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 3mΩ@25A, 10V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1500 |