BUK7Y2R5-40HX, MOSFETs BUK7Y2R5-40H/SOT669/LFPAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8066858118
- Артикул
- BUK7Y2R5-40HX
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Tab
- Tab
- PPAP
- Unknown
- Brand:
- Nexperia
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
Цена по запросу
(от 212 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы Trench 9 с суперпереxодом МОП-транзисторы Nexperia Trench 9 с суперпереxодом сочетают теxнологию низковольтныx суперпереxодов с усовершенствованным дизайном корпуса, что обеспечивает высокую производительность и прочность. Все МОП-транзисторы Trench 9 соответствуют стандарту AEC-Q101 и в два раза превышают требования этого международного автомобильного стандарта по ключевым показателям надежности, включая температурный цикл (TC), высокотемпературное смещение затвора (HTGB), высокотемпературное обратное смещение (HTRB) и периодический срок службы (ИОЛ).
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | Unknown |
| Brand: | Nexperia |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 5 |
| Automotive | Yes |
| Fall Time: | 13 ns |
| Rise Time: | 10.3 ns |
| Tradename: | Trench 9 |
| Вес, г | 0.15 |
| PCB changed | 4 |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single Triple Source |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | LFPAK-56-5 |
| Part # Aliases: | 934660084115 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | LFPAK |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 79 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Typical Fall Time (ns) | 13 |
| Typical Rise Time (ns) | 10.3 |
| Pd - Power Dissipation: | 190 W |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 12.3 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 27.5 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 120 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 190000 |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 45.8 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 45.8@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | 20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 12.3 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 40 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 27.5 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.5 mOhms |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 120 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 3193@25V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 2.5@10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1500 |