Моя заявка (0)
BUK7Y1R0-40NX, MOSFETs BUK7Y1R0-40N/SOT669/LFPAK

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8031190983
Артикул
BUK7Y1R0-40NX
Бренд
Nexperia B.V.
Brand:
Nexperia
Fall Time:
58 ns
Rise Time:
49 ns
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 220,44 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальные МОП-транзисторы BUK7Y1R0-40N и BUK7Y3R1-80M Nexperia N-канальные МОП-транзисторы BUK7Y1R0-40N и BUK7Y3R1-80M разработаны и сертифицированы в соответствии с требованиями стандарта AEC-Q101, обеспечивая высокую производительность и долговечность. Эти МОП-транзисторы обеспечивают быстрое и эффективное переключение с оптимальным демпфированием и низким уровнем пиков. N-канальные МОП-транзисторы BUK7Y1R0-40N и BUK7Y3R1-80M встроены в корпуса LFPAK56. В N-канальном МОП-транзисторе BUK7Y1R0-40N используется низкоомная теxнология Trench 15 с усиленным оксидированием дна траншеи (e-TBO), в то время как в BUK7Y3R1-80M используется низкоомная теxнология Trench 14 с разделенным затвором. Эти N-канальные МОП-транзисторы соответствуют требованиям ЕС RoHS и имеют максимальный диапазон температур соединения 175°C. Типичные области применения включают двигатели, освещение и электромагнитное управление, автомобильные системы напряжением 12 В и сверxвысокопроизводительную коммутацию питания.

Технические параметры

Brand:Nexperia
Fall Time:58 ns
Rise Time:49 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Nexperia
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:Power-SO8-4
Part # Aliases:934666555115
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:135 nC
СтруктураEnhanced-Trench Bottom Oxide(e-TBO)MOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:1500
Особенности-
Pd - Power Dissipation:268 W
Typical Turn-On Delay Time:25 ns
Typical Turn-Off Delay Time:79 ns
Id - Continuous Drain Current:320 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3.6 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)970 uOhms

Техническая документация