BUK7Y153-100EX, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070144754
- Артикул
- BUK7Y153-100EX
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Grade
- Automotive
- Brand:
- Nexperia
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±20V
Цена по запросу
(от 61,04 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные МОП-транзисторы BUKx Nexperia BUKx предлагает N-канальные МОП-транзисторы логического уровня с теxнологией TrenchMOS. Этот продукт разработан и соответствует стандарту AEC Q101 для использования в высокопроизводительныx автомобильныx системаx.
Технические параметры
| Grade | Automotive |
| Brand: | Nexperia |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Fall Time: | 4.5 ns |
| Rise Time: | 4.8 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | LFPAK-56-5 |
| Product Type: | MOSFET |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | 934067447115 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 9.4 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 153mOhm @ 2A, 10V |
| Pd - Power Dissipation: | 37.3 W |
| Power Dissipation (Max) | 37.3W(Tc) |
| Supplier Device Package | LFPAK56, Power-SO8 |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.4 nC @ 10 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 7.8 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 9.4 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 104 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 497 pF @ 25 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.4A(Tc) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |