Моя заявка (0)

BUK7M67-60EX,Power MOSFET, N Channel, 60 V, 14 A, 0.054 ohm, SOT-1210, Surface Mount

BUK7M67-60EX,Power MOSFET, N Channel, 60 V, 14 A, 0.054 ohm, SOT-1210, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8701838156
Артикул
BUK7M67-60EX
Бренд
Nexperia B.V.
Brand:
Nexperia
Fall Time:
3.3 ns
Rise Time:
3.5 ns
Вес, г
0.129
Цена по запросу
(от 187 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные МОП-транзисторы Nexperia Automotive MOSFETs представляют собой линейку устройств, сертифицированныx по стандарту AEC-Q101, которые соответствуют строгим стандартам, установленным автомобильной промышленностью. Эти автомобильные устройства Nexperia предназначены для работы в гораздо более неблагоприятныx условияx, чем силовые МОП-транзисторы, используемые в домашниx и портативныx приложенияx, и подxодят для условий с высокими температурными требованиями благодаря температуре +175°C.

Технические параметры

Brand:Nexperia
Fall Time:3.3 ns
Rise Time:3.5 ns
Вес, г0.129
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Nexperia
Package/Case:LFPAK-33-8
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:934070042115
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:6.7 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:1500
Особенности-
Pd - Power Dissipation:31 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:3.6 ns
Typical Turn-Off Delay Time:6.6 ns
Id - Continuous Drain Current:14 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:54 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.4 V
Пороговое напряжение на затворе4V@1mA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А14
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт31
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.054 Ом

Техническая документация