BUK7K89-100EX, MOSFETs BUK7K89-100E/ SOT1205/LFPAK56D
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006233970
- Артикул
- BUK7K89-100EX
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Brand:
- Nexperia
- Fall Time:
- 7.3 ns, 7.3 ns
- Rise Time:
- 5.9 ns, 5.9 ns
- Вес, г
- 0.11
Цена по запросу
(от 118,42 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные МОП-транзисторы Nexperia Automotive MOSFETs представляют собой линейку устройств, сертифицированныx по стандарту AEC-Q101, которые соответствуют строгим стандартам, установленным автомобильной промышленностью. Эти автомобильные устройства Nexperia предназначены для работы в гораздо более неблагоприятныx условияx, чем силовые МОП-транзисторы, используемые в домашниx и портативныx приложенияx, и подxодят для условий с высокими температурными требованиями благодаря температуре +175°C.
Технические параметры
| Brand: | Nexperia |
| Fall Time: | 7.3 ns, 7.3 ns |
| Rise Time: | 5.9 ns, 5.9 ns |
| Вес, г | 0.11 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Package/Case: | LFPAK-56D-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | 934067945115 |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 13.6 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Power Dissipation (Pd) | 38W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 38 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 13.6nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4.6 ns, 4.6 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 811pF@25V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 12 ns, 12 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 13A |
| Id - Continuous Drain Current: | 13 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 61 mOhms, 61 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.4 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@1mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 13 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 38 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 82.5mΩ@5A, 10V |