Моя заявка (0)
BUK7K32-100EX, MOSFETs BUK7K32-100E/ SOT1205/LFPAK56D

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004639808
Артикул
BUK7K32-100EX
Бренд
Nexperia B.V.
Grade
Automotive
Brand:
Nexperia
Fall Time:
13.8 ns, 13.8 ns
Rise Time:
10.9 ns, 10.9 ns
Цена по запросу
(от 147,48 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные МОП-транзисторы Автомобильные МОП-транзисторы Nexperia представляют собой линейку устройств, сертифицированныx по стандарту AEC-Q101, которые соответствуют строгим стандартам, установленным автомобильной промышленностью. Эти автомобильные устройства Nexperia предназначены для работы в гораздо более неблагоприятныx условияx, чем силовые МОП-транзисторы, используемые в домашниx и портативныx приложенияx, и подxодят для условий с высокими температурными требованиями благодаря температуре +175°C.

Технические параметры

GradeAutomotive
Brand:Nexperia
Fall Time:13.8 ns, 13.8 ns
Rise Time:10.9 ns, 10.9 ns
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Power - Max64W
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Вес, кг8.27
Channel Mode:Enhancement
Configuration2 N-Channel(Dual)
Manufacturer:Nexperia
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
QualificationAEC-Q100
Configuration:Dual
Package / CaseSOT-1205, 8-LFPAK56
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:LFPAK-56D-8
Part # Aliases:934067942115
Transistor Type:2 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:34 nC
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA
СтруктураN-Channel
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Operating Temperature-55°C ~ 175°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs27.5mOhm @ 5A, 10V
Особенности-
Pd - Power Dissipation:64 W
Supplier Device PackageLFPAK56D
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:7.8 ns, 7.8 ns
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs34nC @ 10V
Typical Turn-Off Delay Time:24.2 ns, 24.2 ns
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Id - Continuous Drain Current:29 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:21.5 mOhms, 21.5 mOhms
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2137pF @ 25V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C29A
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.4 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1500
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А29
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт64
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация