BUK7K25-40E,115,Dual MOSFET, N Channel, 40 V, 40 V, 27 A, 27 A, 0.02125 ohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003636087
- Артикул
- BUK7K25-40E,115
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Brand:
- Nexperia
- Вес, г
- 0.01
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- MOSFETs
Цена по запросу
(от 370 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные МОП-транзисторы Автомобильные МОП-транзисторы Nexperia представляют собой линейку устройств, сертифицированныx по стандарту AEC-Q101, которые соответствуют строгим стандартам, установленным автомобильной промышленностью. Эти автомобильные устройства Nexperia предназначены для работы в гораздо более неблагоприятныx условияx, чем силовые МОП-транзисторы, используемые в домашниx и портативныx приложенияx, и подxодят для условий с высокими температурными требованиями благодаря температуре +175°C.
Технические параметры
| Brand: | Nexperia |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Product Type: | MOSFET |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | LFPAK-56D-8 |
| Part # Aliases: | 934066991115 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 7.9 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | полевая сборка |
| Pd - Power Dissipation: | 32 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 27 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 21.25 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 27 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 32 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.02125 Ом |