Моя заявка (0)
BUK765R0-100E,118, MOSFETs BUK765R0-100E/ SOT404/D2PAK

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004727497
Артикул
BUK765R0-100E,118
Бренд
Nexperia B.V.
Brand:
Nexperia
Вес, г
445
Technology:
Si
Subcategory:
MOSFETs
Цена по запросу
(от 361,59 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор полевой N-MOSFET BUK765R0-100E,118 от производителя NEXPERIA — это высокопроизводительный компонент для SMD-монтажа. Он характеризуется током стока до 120 А при напряжении сток-исток 20 В и мощностью 357 Вт. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,0039 Ом. Благодаря корпусу D2PAK, этот транзистор отличается улучшенным теплоотводом и надежностью. Эффективность и минимальное сопротивление делают его идеальным выбором для широкого спектра областей применения, включая силовую электронику и управление моторами. Для заказа используйте код BUK765R0100E118 без пробелов и специальных символов. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 120 Напряжение сток-исток, В 20 Мощность, Вт 357 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.0039 Корпус D2PAK

Технические параметры

Brand:Nexperia
Вес, г445
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Nexperia
Product Type:MOSFET
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:D2PAK-3
Part # Aliases:934066494118
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:180 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:357 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Id - Continuous Drain Current:120 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:5 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.4 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:800
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация