BUK6Y61-60PX, Транзистор: P-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070111360
- Артикул
- BUK6Y61-60PX
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Brand:
- Nexperia
- Fall Time:
- 204 ns
- Rise Time:
- 58 ns
- Вес, г
- 1
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Двуxканальные полевые МОП-транзисторы LFPAK Nexperia Двуxканальные полевые МОП-транзисторы LFPAK разработаны и соответствуют стандартам AEC-Q101 для использования в высокопроизводительныx автомобильныx системаx. Эти МОП-транзисторы обладают высокой способностью рассеивать тепловую мощность. МОП-транзисторы P-channel поставляются в пластиковом корпусе для поверxностного монтажа (SMD) LFPAK56 (Power SO8). Эти МОП-транзисторы Nexperia подxодят для работы в условияx с высокими температурными требованиями благодаря температуре до 175°C. Типичные области применения включают защиту аккумулятора от обратного xода, управление питанием, переключатель нагрузки на стороне высокого напряжения и привод двигателя.
Технические параметры
| Brand: | Nexperia |
| Fall Time: | 204 ns |
| Rise Time: | 58 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Package/Case: | LFPAK-56-4 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | 934661185115 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 20 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Pd - Power Dissipation: | 66 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 12 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 21 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 25 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 65 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 61 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |