BUK6Y10-30PX, Транзистор: P-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025166129
- Артикул
- BUK6Y10-30PX
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Type
- P Channel
- Brand:
- Nexperia
- Fall Time:
- 580 ns
- Rise Time:
- 38 ns
Цена по запросу
(от 327 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
30 В 80 А 110 Вт 10mOhm@13.5A, 10 В 3 В при 250 мкА P-канальные МОП-транзисторы LFPAK-56 ROHS
Технические параметры
| Type | P Channel |
| Brand: | Nexperia |
| Fall Time: | 580 ns |
| Rise Time: | 38 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Package/Case: | LFPAK-56-4 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | 934661707115 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 42.5 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Power Dissipation (Pd) | 110W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 110 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 64nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2.36nF@15V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 80 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 80A |
| Id - Continuous Drain Current: | 80 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 31 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 10 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 110 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 10mΩ@13.5A, 10V |