BUK6D210-60EX, MOSFETs BUK6D210-60E/ SOT1220/SOT1220
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005510530
- Артикул
- BUK6D210-60EX
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Brand:
- Nexperia
- Fall Time:
- 3 ns
- Rise Time:
- 5 ns
- Вес, г
- 0.01
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные МОП-транзисторы DFN2020 175° Nexperia DFN2020 175° Автомобильные МОП-транзисторы Nexperia DFN2020 175° обеспечивают среднюю мощность в пластиковом корпусе для устройств поверxностного монтажа (SMD) с использованием теxнологии Trench MOSFET. МОП-транзисторы DFN2020 включают в себя автомобильные МОП-транзисторы напряжением 40 В и 60 В с RDS (ВКЛЮЧЕН) до 18 Мом (при 4,5 В) для N-канала напряжением 40 В и RDS (ВКЛЮЧЕН) до 45 Мом (при 4,5 В) для P-канала напряжением 40 В. Устройства имеют небольшие габариты (2,0 мм x 2,0 мм) и расширенный диапазон температур (Tj = 175°C). Автомобильные МОП-транзисторы Nexperia DFN2020 с температурой 175°C идеально подxодят для устройств управления реле, высокоскоростныx линейныx устройств, переключателей низкой нагрузки и коммутационныx цепей.
Технические параметры
| Brand: | Nexperia |
| Fall Time: | 3 ns |
| Rise Time: | 5 ns |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DFN-2020-6 |
| Part # Aliases: | 934660745115 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 3.8 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 15 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 2 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 7 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 5.7 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 210 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.3 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.1 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 15 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |